采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4800N15CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：332pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@1.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4800N15CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：332pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@1.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4800N15CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：332pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@1.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4800N15CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：332pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@1.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4800N15CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：332pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@1.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4800N15CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：332pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@1.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4800N15CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：332pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@1.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4800N15CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：332pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@1.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4800N15CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：332pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@1.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4800N15CX6 RFG
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：8nC@10V
功率：2.1W
类型：N沟道
漏源电压：150V
导通电阻：480mΩ@1.1A，10V
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：332pF@10V
连续漏极电流：1.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4800N15CX6 RFG
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：8nC@10V
功率：2.1W
类型：N沟道
漏源电压：150V
导通电阻：480mΩ@1.1A，10V
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：332pF@10V
连续漏极电流：1.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3000，"22+"：5487，"MI+"：2406}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2512-P
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：344pF@75V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：425mΩ@1.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ200UNEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€6.25W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：89pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@1.4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：6000，"15+"：1695}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSD816SNH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@3.7µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.4A，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS316NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@3.7µA
栅极电荷：0.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：94pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS316NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@3.7µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：94pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMX100UNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW€4.7W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：123pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS816NWH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：750mV@3.7µA
栅极电荷：0.6nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.4A，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：10+
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61N03FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N-Channel
导通电阻：220mΩ@910mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS351AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：145pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS816NWH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：750mV@3.7µA
栅极电荷：0.6nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.4A，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"23+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN361BN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：193pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1308EDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：4.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：105pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：N-Channel
导通电阻：132mΩ
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB200UNEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€6.25W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：89pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@1.4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMX100UNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW€4.7W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：123pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N-Channel
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS316NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@3.7µA
栅极电荷：0.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：94pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1308EDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：4.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：105pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：132mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：11000，"21+"：3496，"MI+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2512-P
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：344pF@75V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：425mΩ@1.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
