品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS2101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@8V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS2101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@8V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS2101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@8V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2101W
功率:290mW
阈值电压:700mV@250μA
连续漏极电流:1.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@4.5V,1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS2101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@8V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS2101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@8V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM1480-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:600mV@250μA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:1个P沟道
反向传输电容:51pF@10V
导通电阻:110mΩ@4.5V,1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM1480-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:600mV@250μA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:1个P沟道
反向传输电容:51pF@10V
导通电阻:110mΩ@4.5V,1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2101W
功率:290mW
阈值电压:700mV@250μA
连续漏极电流:1.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@4.5V,1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS2101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@8V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS2101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@8V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS2101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@8V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS2101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@8V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS2101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@8V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS2101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@8V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2101W
功率:290mW
阈值电压:700mV@250μA
连续漏极电流:1.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@4.5V,1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS2101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@8V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS2101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@8V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS2101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@8V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS2101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@8V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS2101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@8V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS2101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@8V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS2101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@8V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM1480-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:600mV@250μA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:1个P沟道
反向传输电容:51pF@10V
导通电阻:110mΩ@4.5V,1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM1480-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:600mV@250μA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:1个P沟道
反向传输电容:51pF@10V
导通电阻:110mΩ@4.5V,1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM1480-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:600mV@250μA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:1个P沟道
反向传输电容:51pF@10V
导通电阻:110mΩ@4.5V,1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM1480-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:600mV@250μA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:1个P沟道
反向传输电容:51pF@10V
导通电阻:110mΩ@4.5V,1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS2101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@8V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS2101PT1G
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:100mΩ@1A,4.5V
类型:P沟道
功率:290mW
阈值电压:1V@250µA
输入电容:640pF@8V
漏源电压:8V
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS2101PT1G
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:100mΩ@1A,4.5V
类型:P沟道
功率:290mW
阈值电压:1V@250µA
输入电容:640pF@8V
漏源电压:8V
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存: