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    连续漏极电流: 1.4A
    功率: 290mW
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    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订31个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订31个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@8V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@8V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订1200个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订1200个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@8V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2101W 起订96个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2101W 起订96个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2101W

    功率:290mW

    阈值电压:700mV@250μA

    连续漏极电流:1.4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@4.5V,1A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@8V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@8V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WPM1480-3/TR 起订200个装
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WPM1480-3/TR 起订200个装

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WPM1480-3/TR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:290mW

    阈值电压:600mV@250μA

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    输入电容:480pF@10V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:51pF@10V

    导通电阻:110mΩ@4.5V,1A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WPM1480-3/TR 起订3000个装
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WPM1480-3/TR 起订3000个装

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WPM1480-3/TR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:290mW

    阈值电压:600mV@250μA

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    输入电容:480pF@10V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:51pF@10V

    导通电阻:110mΩ@4.5V,1A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2101W 起订93个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2101W 起订93个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2101W

    功率:290mW

    阈值电压:700mV@250μA

    连续漏极电流:1.4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@4.5V,1A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订32个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订32个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@8V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@8V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@8V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订600个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订600个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@8V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订37个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订37个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@8V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@8V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2101W 起订98个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2101W 起订98个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2101W

    功率:290mW

    阈值电压:700mV@250μA

    连续漏极电流:1.4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@4.5V,1A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@8V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@8V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@8V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@8V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订42个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订42个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@8V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@8V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@8V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WPM1480-3/TR 起订45个装
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WPM1480-3/TR 起订45个装

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WPM1480-3/TR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:290mW

    阈值电压:600mV@250μA

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    输入电容:480pF@10V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:51pF@10V

    导通电阻:110mΩ@4.5V,1A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WPM1480-3/TR 起订1500个装
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WPM1480-3/TR 起订1500个装

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WPM1480-3/TR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:290mW

    阈值电压:600mV@250μA

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    输入电容:480pF@10V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:51pF@10V

    导通电阻:110mΩ@4.5V,1A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WPM1480-3/TR 起订29个装
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WPM1480-3/TR 起订29个装

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WPM1480-3/TR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:290mW

    阈值电压:600mV@250μA

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    输入电容:480pF@10V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:51pF@10V

    导通电阻:110mΩ@4.5V,1A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WPM1480-3/TR 起订50个装
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WPM1480-3/TR 起订50个装

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WPM1480-3/TR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:290mW

    阈值电压:600mV@250μA

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    输入电容:480pF@10V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:51pF@10V

    导通电阻:110mΩ@4.5V,1A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@8V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS2101PT1G

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:100mΩ@1A,4.5V

    类型:P沟道

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    输入电容:640pF@8V

    漏源电压:8V

    连续漏极电流:1.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订37个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订37个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS2101PT1G

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:100mΩ@1A,4.5V

    类型:P沟道

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    输入电容:640pF@8V

    漏源电压:8V

    连续漏极电流:1.4A

    包装清单:商品主体 * 1

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