采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV1C002UNT2CL
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12pF@10V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV1C002UNT2CL
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12pF@10V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：7900，"13+"：16000，"14+"：71789，"19+"：24000，"9999"：8000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：3LN01SS-TL-E
工作温度：150℃
功率：150mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7pF@10V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：3.7Ω@80mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72CTC，L3F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：3.9Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：80000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EC4401C-TL
工作温度：150℃
功率：150mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7pF@10V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：3.7Ω@80mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV1C002UNT2CL
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12pF@10V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3306FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@18V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72CTC，L3F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：3.9Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN10LFTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV1C002UNT2CL
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12pF@10V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV1C002UNT2CL
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12pF@10V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN10LFTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3306FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@18V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.8V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@120mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：113686}
销售单位：个
规格型号(MPN)：3LN01M-TL-H
工作温度：150℃
功率：150mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7pF@10V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：3.7Ω@80mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3306FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@18V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.8V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@120mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3306FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@18V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3306FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@18V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3306FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@18V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@120mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@120mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV1C002UNT2CL
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12pF@10V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV3C002UNT2CL
工作温度：-55℃~150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12pF@10V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV3C002UNT2CL
工作温度：-55℃~150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12pF@10V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN10LFTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV1C002UNT2CL
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12pF@10V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3306FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@18V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3306FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@18V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3306FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@18V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
