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    连续漏极电流: 5.6A
    行业应用: 工业
    工作温度: -55℃~150℃
    包装方式: 卷带(TR)
    类型: N沟道
    当前匹配商品:100+
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    强茂 Mosfet场效应管 PJA3404-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3404-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3404-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:343pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:23
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3404A_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3404A_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3404A_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:602pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3404A_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3404A_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3404A_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:602pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3404A_R1_00001 起订16个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3404A_R1_00001 起订16个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3404A_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

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    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:16
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3404A_R1_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3404A_R1_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3404A_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:602pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3404A_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3404A_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3404A_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:602pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3404-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3404-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3404-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:343pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:28
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3404A_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3404A_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3404A_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:16
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3404-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3404-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3404-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:343pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3404A_R1_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3404A_R1_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3404A_R1_00001

    输入电容:602pF@15V

    导通电阻:23mΩ@5.6A,10V

    栅极电荷:12.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:2.1V@250µA

    连续漏极电流:5.6A

    ECCN:EAR99

    功率:1.25W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3404A_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3404A_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3404A_R1_00001

    输入电容:602pF@15V

    导通电阻:23mΩ@5.6A,10V

    栅极电荷:12.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:2.1V@250µA

    连续漏极电流:5.6A

    ECCN:EAR99

    功率:1.25W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT1600N10ALZ
    onsemi Mosfet场效应管 FDT1600N10ALZ

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT1600N10ALZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:10.42W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@50V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7414DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FDT1600N10ALZ
    onsemi Mosfet场效应管 FDT1600N10ALZ

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT1600N10ALZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:10.42W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@50V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 FDT1600N10ALZ
    onsemi Mosfet场效应管 FDT1600N10ALZ

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT1600N10ALZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:10.42W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:3.77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@50V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:498pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:498pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:16
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7414DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    ST Mosfet场效应管 STD6NK50ZT4
    ST Mosfet场效应管 STD6NK50ZT4

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD6NK50ZT4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:90W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:24.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:690pF@25V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2.8A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    onsemi Mosfet场效应管 FDT1600N10ALZ
    onsemi Mosfet场效应管 FDT1600N10ALZ

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT1600N10ALZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:10.42W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:3.77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@50V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7414DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:498pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:21
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:498pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:17500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:498pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:23
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-E3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-E3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7414DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7414DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:498pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7414DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7414DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13 起订250个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13 起订250个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:498pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
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