采购热线 400-661-9010
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2300
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：4.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：30mΩ@4.5V，4.2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3401L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.3V@250μA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
输入电容：880pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
反向传输电容：75pF@15V
导通电阻：60mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3401
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2300
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：4.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：30mΩ@4.5V，4.2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2300
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：4.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：30mΩ@4.5V，4.2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3401
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3401
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2067LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：28nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1575pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3401
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3401
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3401
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3401
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3401
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2067LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：28nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1575pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2067LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：28nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1575pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2067LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：28nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1575pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2300
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：4.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：30mΩ@4.5V，4.2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3401S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
栅极电荷：8.5nC@4.5V
输入电容：880pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
反向传输电容：65pF@15V
导通电阻：45mΩ@10V，4.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3401L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.3V@250μA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
输入电容：880pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
反向传输电容：75pF@15V
导通电阻：60mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WEIDA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WD3401
功率：1.2W
连续漏极电流：4.2A
导通电阻：55mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2067LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：28nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1575pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2067LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：28nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1575pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3401
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3401
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3401S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
栅极电荷：8.5nC@4.5V
输入电容：880pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
反向传输电容：65pF@15V
导通电阻：45mΩ@10V，4.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3401L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.3V@250μA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
输入电容：880pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
反向传输电容：75pF@15V
导通电阻：60mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3401S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
栅极电荷：8.5nC@4.5V
输入电容：880pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
反向传输电容：65pF@15V
导通电阻：45mΩ@10V，4.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3401L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.3V@250μA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
输入电容：880pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
反向传输电容：75pF@15V
导通电阻：60mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3401
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3401S
连续漏极电流：4.2A
输入电容：880pF@15V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：45mΩ@10V，4.2A
栅极电荷：8.5nC@4.5V
功率：1.2W
反向传输电容：65pF@15V
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
