品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3414A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:436pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3414A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:436pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3414A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:436pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3414A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:436pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3414A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:436pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3414A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:436pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3414A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:436pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3414A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:436pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3414A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:436pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3414A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:436pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3414A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:436pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3414A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:436pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3414A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:436pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3414A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:436pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3414A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:436pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3414A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:436pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3414A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:436pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UQ-13
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:594.3pF@10V
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
类型:N沟道
阈值电压:1V@50µA
栅极电荷:7nC@4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UQ-7
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
类型:N-Channel
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302U-7
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:594.3pF@10V
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
类型:N沟道
阈值电压:1V@50µA
栅极电荷:7nC@4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV30UN2R
连续漏极电流:4.2A
功率:490mW€5W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:11nC@4.5V
输入电容:655pF@10V
漏源电压:20V
导通电阻:32mΩ@4.2A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3414UQ-7
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:9.6nC@4.5V
功率:780mW
导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
输入电容:829.9pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML2502TRPBF
阈值电压:1.2V@250µA
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:740pF@15V
导通电阻:45mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
栅极电荷:12nC@5V
ECCN:EAR99
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UQ-7
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
类型:N-Channel
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML2502TRPBF
阈值电压:1.2V@250µA
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:740pF@15V
导通电阻:45mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
栅极电荷:12nC@5V
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A25KTC
功率:2.11W
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@2.9A,10V
栅极电荷:17.16nC@10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:859pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML2502TRPBF
阈值电压:1.2V@250µA
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:740pF@15V
导通电阻:45mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
栅极电荷:12nC@5V
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4486
阈值电压:2.7V@250µA
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
类型:N沟道
导通电阻:79mΩ@3A,10V
栅极电荷:20nC@10V
ECCN:EAR99
输入电容:942pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO6420
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:60mΩ@4.2A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N-Channel
漏源电压:60V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML2502TRPBF
阈值电压:1.2V@250µA
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:740pF@15V
导通电阻:45mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
栅极电荷:12nC@5V
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存: