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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3401L
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：50mΩ@10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3070SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：697pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3401L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.3V@250μA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
输入电容：880pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
反向传输电容：75pF@15V
导通电阻：60mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3407A
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：14.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3070SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：697pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3401
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：43mΩ@10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3070SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：697pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3401A
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：9.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：954pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3401
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3404L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：641pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3070SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：697pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3070SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：697pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV50EPEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW€455mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：793pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3407A
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3407A
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3401A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV50EPEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW€455mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：793pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3404L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：641pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3401A
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：9.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：954pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3401A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3401A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3401
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3407A
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：14.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3401
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3404L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：641pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3401A
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：954pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3401
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3404L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：641pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3401
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3401
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
