品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2300
功率:1.2W
阈值电压:1.2V@250μA
连续漏极电流:4.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:30mΩ@4.5V,4.2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2300
功率:1.2W
阈值电压:1.2V@250μA
连续漏极电流:4.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:30mΩ@4.5V,4.2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2300
功率:1.2W
阈值电压:1.2V@250μA
连续漏极电流:4.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:30mΩ@4.5V,4.2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2300
功率:1.2W
阈值电压:1.2V@250μA
连续漏极电流:4.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:30mΩ@4.5V,4.2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:740pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@4.5V,4.2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:740pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@4.5V,4.2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:740pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@4.5V,4.2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:740pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@4.5V,4.2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:740pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@4.5V,4.2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
连续漏极电流:4.2A
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
漏源电压:20V
栅极电荷:12nC@5V
阈值电压:1.2V@250μA
导通电阻:45mΩ@4.5V,4.2A
输入电容:740pF@15V
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存: