品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN012-100YSFX
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@50V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:11.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ650N10TL
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10780pF@25V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@32.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ650N10TL
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10780pF@25V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@32.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN012-100YSFX
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@50V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:11.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ650N10TL
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10780pF@25V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@32.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ650N10TL
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10780pF@25V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@32.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ650N10TL
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10780pF@25V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@32.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN012-100YSFX
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@50V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:11.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ650N10TL
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10780pF@25V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@32.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN012-100YSFX
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@50V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:11.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN012-100YSFX
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@50V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:11.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN012-100YSFX
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@50V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:11.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN012-100YSFX
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@50V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:11.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ650N10TL
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10780pF@25V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@32.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN012-100YSFX
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@50V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:11.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ650N10TL
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10780pF@25V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@32.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ650N10TL
连续漏极电流:65A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
栅极电荷:260nC@10V
导通电阻:9.1mΩ@32.5A,10V
阈值电压:2.5V@1mA
功率:100W
输入电容:10780pF@25V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ650N10TL
连续漏极电流:65A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
栅极电荷:260nC@10V
导通电阻:9.1mΩ@32.5A,10V
阈值电压:2.5V@1mA
功率:100W
输入电容:10780pF@25V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ650N10TL
功率:100W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10.78nF@25V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.1mΩ@32.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ650N10TL
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10780pF@25V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@32.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ650N10TL
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10780pF@25V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@32.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ650N10TL
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10780pF@25V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@32.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ650N10TL
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10780pF@25V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@32.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: