采购热线 400-661-9010
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G50N03K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：1.45V
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17507Q5AT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：65A
类型：MOSFET
导通电阻：10.8mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17507Q5AT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：1.1V
栅极电荷：2.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：65A
类型：MOSFET
导通电阻：10.8mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17507Q5AT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：1.1V
栅极电荷：2.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：65A
类型：MOSFET
导通电阻：10.8mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17507Q5AT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：1.1V
栅极电荷：2.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：65A
类型：MOSFET
导通电阻：10.8mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1265}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCHD040N65S3-F155
工作温度：-55℃~+150℃
功率：417W
阈值电压：4.5V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：136nC@10V
输入电容：4.74nF@400V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@32.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17507Q5AT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：65A
类型：MOSFET
导通电阻：10.8mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G50N03K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：1.45V
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G50N03K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：1.45V
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G50N03K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：1.45V
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1265}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCHD040N65S3-F155
工作温度：-55℃~+150℃
功率：417W
阈值电压：4.5V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：136nC@10V
输入电容：4.74nF@400V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@32.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17507Q5AT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：65A
类型：MOSFET
导通电阻：10.8mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCHD040N65S3-F155
工作温度：-55℃~+150℃
功率：417W
阈值电压：4.5V@1.7mA
栅极电荷：136nC@10V
输入电容：4.74nF@400V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@32.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHLD040N65S3HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：446W
阈值电压：3V
栅极电荷：159nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：65A
类型：MOSFET
导通电阻：32mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT3150G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：1.4nF@15V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
反向传输电容：177pF@15V
导通电阻：4.5mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G50N03K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：1.45V
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17507Q5AT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：65A
类型：MOSFET
导通电阻：10.8mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17507Q5AT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：65A
类型：MOSFET
导通电阻：10.8mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17507Q5AT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：1.1V
栅极电荷：2.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：65A
类型：MOSFET
导通电阻：10.8mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17507Q5AT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：65A
类型：MOSFET
导通电阻：10.8mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G50N03K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：1.45V
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17507Q5AT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：65A
类型：MOSFET
导通电阻：10.8mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1265}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCHD040N65S3-F155
工作温度：-55℃~+150℃
功率：417W
阈值电压：4.5V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：136nC@10V
输入电容：4.74nF@400V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@32.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1265}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCHD040N65S3-F155
工作温度：-55℃~+150℃
功率：417W
阈值电压：4.5V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：136nC@10V
输入电容：4.74nF@400V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@32.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G50N03K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：1.45V
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G50N03K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：1.45V
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G50N03K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：1.45V
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G50N03K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：1.45V
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHLD040N65S3HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：446W
阈值电压：3V
栅极电荷：159nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：65A
类型：MOSFET
导通电阻：32mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCHD040N65S3-F155
工作温度：-55℃~+150℃
功率：417W
阈值电压：4.5V@1.7mA
栅极电荷：136nC@10V
输入电容：4.74nF@400V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@32.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
