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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT36M1LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT36M1LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT36M1LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT36M1LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16.7nC@10V
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输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16.7nC@10V
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输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT36M1LPS-13
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功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.7nC@10V
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输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT36M1LPS-13
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功率：2.6W
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
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漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT36M1LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT36M1LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT36M1LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT36M1LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN6426
功率：48W
阈值电压：1.75V@250μA
栅极电荷：48nC
输入电容：2.2nF
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
反向传输电容：242pF
导通电阻：4mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT36M1LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN6426
功率：48W
阈值电压：1.75V@250μA
栅极电荷：48nC
输入电容：2.2nF
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
反向传输电容：242pF
导通电阻：4mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN6426
功率：48W
阈值电压：1.75V@250μA
栅极电荷：48nC
输入电容：2.2nF
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
反向传输电容：242pF
导通电阻：4mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN6426
功率：48W
阈值电压：1.75V@250μA
栅极电荷：48nC
输入电容：2.2nF
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
反向传输电容：242pF
导通电阻：4mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT36M1LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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