采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP150N10F7AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：127nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9000pF@50V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS7540TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：3.7V@100µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4555pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@65A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86566-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6655pF@30V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86566-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6655pF@30V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP150N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8115pF@50V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：4200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFSL7540PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：3.7V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4555pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@65A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM110P06-8M9L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7450pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP110N15T2
工作温度：-55℃~175℃
功率：480W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8600pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@55A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"00+"：1425，"18+"：364，"95+"：700}
包装规格(MPQ)：400psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFP064N
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@59A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP110N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5500pF@50V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86563-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：163nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@30V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM110N10-09-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6700pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP110N055T2
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3060pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86563-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：163nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@30V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS2D7N06M7
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6655pF@30V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP80N6F6
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7480pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP110N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5500pF@50V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM110P06-07L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€375W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：345nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11400pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：6.9mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS7540TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：3.7V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4555pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@65A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM110P08-11L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：13.6W€375W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10850pF@40V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：11.2mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP110N7F6
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5850pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@55A，10V
漏源电压：68V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM110P06-08L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€272W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：240nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP110N8F6
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9130pF@40V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@55A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM110N10-09-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6700pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM110P06-08L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€272W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：240nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3205STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3247pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@62A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM110N10-09-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6700pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM110P06-8M9L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7450pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFA110N15T2
工作温度：-55℃~175℃
功率：480W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8600pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@55A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP064NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@59A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
