采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：45000，"14+"：25000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1335-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@6V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1335-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@6V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：45000，"14+"：25000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1335-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@6V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
