品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NXV40UNR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW€2.1W
阈值电压:950mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:347pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSQ025P03HZGTR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:4.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:110mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NXV40UNR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW€2.1W
阈值电压:950mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:347pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSQ025P03HZGTR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:110mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:760mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:8.2nC@10V
输入电容:371.3pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:90mΩ@10V,2.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NXV40UNR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW€2.1W
阈值电压:950mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:347pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:740mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:8.6nC@10V
输入电容:305.8pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:73mΩ@10V,3.1mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSQ025P03HZGTR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:110mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NXV40UNR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW€2.1W
阈值电压:950mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:347pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K3N10G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:436nF@50V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:9nF@50V
导通电阻:180mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K3N10G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:436nF@50V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:9nF@50V
导通电阻:180mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSQ025P03HZGTR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:4.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:110mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HL3402
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:5nC@10V
输入电容:390pF@0V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:41pF@0V
导通电阻:50mΩ@10V,2.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3110SQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:740mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:8.6nC@10V
输入电容:305.8pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:73mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3460
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.75V@250μA
栅极电荷:9.3nC@10V
输入电容:509pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:23pF@15V
导通电阻:55mΩ@10V,2A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NXV40UNR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW€2.1W
阈值电压:950mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:347pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K3N10G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:436nF@50V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:9nF@50V
导通电阻:180mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3110SQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:740mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:8.6nC@10V
输入电容:305.8pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:73mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSQ025P03HZGTR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:4.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:110mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSQ025P03HZGTR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:4.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:110mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSQ025P03HZGTR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:110mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:5W€490mW
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:7.5nC@4.5V
输入电容:550pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:102mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSQ025P03HZGTR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:4.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:110mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NXV40UNR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW€2.1W
阈值电压:950mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:347pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSQ025P03HZGTR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:110mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSQ025P03HZGTR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:110mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSQ025P03HZGTR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:4.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:110mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSQ025P03HZGTR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:4.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:110mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NXV40UNR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW€2.1W
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:347pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3110SQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:740mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:8.6nC@10V
输入电容:305.8pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:73mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: