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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R104PB，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4560pF@10V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.14mΩ@60A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH1R104PB，L1XHQ
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阈值电压：3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4560pF@10V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.14mΩ@60A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：TPH1R104PB，L1XHQ
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：4560pF@10V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.14mΩ@60A，10V
漏源电压：40V
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输入电容：4560pF@10V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.14mΩ@60A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH2R408QM，L1Q
工作温度：175℃
功率：3W€210W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8300pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.43mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH2R408QM，L1Q
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功率：3W€210W
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栅极电荷：87nC@10V
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输入电容：8300pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.43mΩ@50A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK1R4S04PB，LXHQ
工作温度：175℃
功率：180W
阈值电压：3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@10V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@60A，6V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：TPH2R408QM，L1Q
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功率：3W€210W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8300pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.43mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH2R408QM，L1Q
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功率：3W€210W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8300pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.43mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
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规格型号(MPN)：TK1R4S04PB，LXHQ
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功率：180W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@10V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@60A，6V
漏源电压：40V
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栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@10V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@60A，6V
漏源电压：40V
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阈值电压：3V@500µA
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栅极电荷：55nC@10V
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输入电容：4560pF@10V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.14mΩ@60A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：TPH2R408QM，L1Q
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功率：3W€210W
阈值电压：3.5V@1mA
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栅极电荷：87nC@10V
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输入电容：8300pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.43mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
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规格型号(MPN)：TK1R4S04PB，LXHQ
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栅极电荷：103nC@10V
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输入电容：5500pF@10V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@60A，6V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：TPH2R408QM，L1Q
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栅极电荷：87nC@10V
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连续漏极电流：120A
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栅极电荷：103nC@10V
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输入电容：5500pF@10V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH2R408QM，L1Q
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栅极电荷：87nC@10V
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连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.43mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK1R4S04PB，LXHQ
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功率：180W
阈值电压：3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@10V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@60A，6V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK1R4S04PB，LXHQ
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功率：180W
阈值电压：3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@10V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@60A，6V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R408QM，L1Q
工作温度：175℃
功率：3W€210W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8300pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.43mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R408QM，L1Q
工作温度：175℃
功率：3W€210W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8300pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.43mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R408QM，L1Q
工作温度：175℃
功率：3W€210W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8300pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.43mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK1R4S04PB，LXHQ
工作温度：175℃
功率：180W
阈值电压：3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@10V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@60A，6V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R104PB，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4560pF@10V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.14mΩ@60A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R408QM，L1Q
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：80V
栅极电荷：87nC@10V
阈值电压：3.5V@1mA
工作温度：175℃
连续漏极电流：120A
ECCN：EAR99
功率：3W€210W
输入电容：8300pF@40V
导通电阻：2.43mΩ@50A，10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK1R4S04PB，LXHQ
功率：180W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@60A，6V
工作温度：175℃
输入电容：5500pF@10V
连续漏极电流：120A
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
阈值电压：3V@500µA
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R104PB，L1XHQ
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4560pF@10V
漏源电压：40V
类型：N沟道
导通电阻：1.14mΩ@60A，10V
栅极电荷：55nC@10V
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
连续漏极电流：120A
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@500µA
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R408QM，L1Q
工作温度：175℃
功率：3W€210W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8300pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.43mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R104PB，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4560pF@10V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.14mΩ@60A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R104PB，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4560pF@10V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.14mΩ@60A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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