品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3SC120009K4S
工作温度:-55℃~175℃
功率:789W
阈值电压:6V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:234nC@15V
包装方式:管件
输入电容:8512pF@100V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@100A,12V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3SC120009K4S
工作温度:-55℃~175℃
功率:789W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:234nC@15V
包装方式:管件
输入电容:8512pF@100V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@100A,12V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):12psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSM120D12P2C005
工作温度:-40℃~150℃
功率:780W
阈值电压:2.7V@22mA
包装方式:散装
输入电容:14000pF@10V
连续漏极电流:120A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3SC120009K4S
工作温度:-55℃~175℃
功率:789W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:234nC@15V
包装方式:管件
输入电容:8512pF@100V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@100A,12V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3SC120009K4S
工作温度:-55℃~175℃
功率:789W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:234nC@15V
包装方式:管件
输入电容:8512pF@100V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@100A,12V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3SC120009K4S
工作温度:-55℃~175℃
功率:789W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:234nC@15V
包装方式:管件
输入电容:8512pF@100V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@100A,12V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3SC120009K4S
输入电容:8512pF@100V
栅极电荷:234nC@15V
类型:N沟道
漏源电压:1200V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:6V@10mA
包装方式:管件
导通电阻:11mΩ@100A,12V
功率:789W
连续漏极电流:120A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):12psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSM120D12P2C005
工作温度:-40℃~150℃
功率:780W
阈值电压:2.7V@22mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:14000pF@10V
连续漏极电流:120A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3SC120009K4S
输入电容:8512pF@100V
栅极电荷:234nC@15V
类型:N沟道
漏源电压:1200V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:6V@10mA
包装方式:管件
导通电阻:11mΩ@100A,12V
功率:789W
连续漏极电流:120A
包装清单:商品主体 * 1
库存: