采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP036N10A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7.295nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.6mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G120N04A
功率：130W
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@10V，20A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP015N04N G
功率：250W
阈值电压：4V@200μA
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@10V，100A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP045N10A-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5.27nF@50V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5mΩ@10V，100A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJ1P12BBDTLL
功率：178W
阈值电压：4V@2.5mA
栅极电荷：80nC@10V
输入电容：4.17nF@50V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.8mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G120N04A
功率：130W
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@10V，20A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G120N04A
功率：130W
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@10V，20A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R405PL，L1Q
功率：132W€960mW
阈值电压：2.4V@500μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.3nF@22.5V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJ1P12BBDTLL
功率：178W
阈值电压：4V@2.5mA
栅极电荷：80nC@10V
输入电容：4.17nF@50V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.8mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：4973}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6E3R2-55C，127
工作温度：-55℃~+175℃
功率：306W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：258nC@10V
输入电容：15.3nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.2mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6E2R3-40C，127
工作温度：-55℃~+175℃
功率：306W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
输入电容：15.1nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6L120BGTB1
功率：104W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：51nC@10V
输入电容：3.52nF@30V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.7mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：4000，"17+"：15000，"9999"：992}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6E4R0-75C，127
工作温度：-55℃~+175℃
功率：306W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：234nC@10V
输入电容：15.45nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@25A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB027N10N3 G
功率：300W
阈值电压：3.5V@275μA
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.7mΩ@10V，100A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6L120BGTB1
功率：104W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：51nC@10V
输入电容：3.52nF@30V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.7mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R405PL，L1Q
功率：132W€960mW
阈值电压：2.4V@500μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.3nF@22.5V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6L120BGTB1
功率：104W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：51nC@10V
输入电容：3.52nF@30V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.7mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
功率：132W€960mW
阈值电压：2.4V@500μA
栅极电荷：74nC@10V
输入电容：6.3nF@22.5V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP045N10A-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5.27nF@50V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5mΩ@10V，100A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP045N10A-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5.27nF@50V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5mΩ@10V，100A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6E4R0-75C，127
工作温度：-55℃~+175℃
功率：306W
阈值电压：2.8V@1mA
栅极电荷：234nC@10V
输入电容：15.45nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@25A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP036N10A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7.295nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.6mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPT042N10S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：227.2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：102nC@10V
输入电容：7.102nF@50V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
反向传输电容：174pF@50V
导通电阻：3.5mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI024N06N3 G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：3V@196μA
栅极电荷：206nC@10V
输入电容：17nF@30V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
反向传输电容：120pF@30V
导通电阻：1.8mΩ@10V，100A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPT042N10S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：227.2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：102nC@10V
输入电容：7.102nF@50V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
反向传输电容：174pF@50V
导通电阻：3.5mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB027N10N3 G
功率：300W
阈值电压：3.5V@275μA
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.7mΩ@10V，100A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUA120N04S5N014
功率：136W
阈值电压：3.4V@60μA
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.4mΩ@10V，60A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT019N04D5
阈值电压：2.5V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：2mΩ@10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP054N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：203nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13.28nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI024N06N3 G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：3V@196μA
栅极电荷：206nC@10V
输入电容：17nF@30V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
反向传输电容：120pF@30V
导通电阻：1.8mΩ@10V，100A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
