采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：BSS84
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：BSS84
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：BSS84
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：BSS84
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：BSS84
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：N-Channel
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：N-Channel
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSS84-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：N-Channel
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84Q-13-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：0.59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：N-Channel
导通电阻：10Ω@100mA，5V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84Q-13-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84Q-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：0.59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSS84Q-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：0.59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84Q-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：N-Channel
导通电阻：10Ω@100mA，5V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84Q-13-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
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类型：P沟道
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84Q-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.59nC@10V
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输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
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输入电容：45pF@25V
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类型：N-Channel
导通电阻：10Ω@100mA，5V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84Q-13-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：N-Channel
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84DW-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
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类型：N-Channel
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：N-Channel
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：N-Channel
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84DW-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84DW-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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