采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD9N60M2
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@100V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：780mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD6N62K3
工作温度：150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：25.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@50V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.28Ω@2.8A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L055GNTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L055GNTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD9N60M2
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@100V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：780mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L055GNTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L055GNTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD9N60M2
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@100V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：780mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6421-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@10V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L055GNTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD6N62K3
工作温度：150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：25.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@50V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.28Ω@2.8A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD6N62K3
工作温度：150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：25.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@50V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.28Ω@2.8A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD6N62K3
工作温度：150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：25.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@50V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.28Ω@2.8A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD6N62K3
工作温度：150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：25.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@50V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.28Ω@2.8A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L055GNTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD9N60M2
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@100V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：780mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L055GNTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L055GNTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L055GNTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L055GNTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L055GNTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L055GNTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L055GNTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L055GNTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD9N60M2
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@100V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：780mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD6N62K3
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@50V
工作温度：150℃
栅极电荷：25.7nC@10V
漏源电压：620V
类型：N沟道
阈值电压：4.5V@50µA
功率：90W
导通电阻：1.28Ω@2.8A，10V
连续漏极电流：5.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L055GNTCR
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
栅极电荷：7.8nC@10V
类型：N沟道
阈值电压：2.7V@1mA
漏源电压：60V
输入电容：400pF@30V
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
连续漏极电流：5.5A
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD9N60M2
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
功率：60W
输入电容：320pF@100V
导通电阻：780mΩ@3A，10V
栅极电荷：10nC@10V
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
连续漏极电流：5.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
