采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC645N
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1460pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF6N80C
工作温度：-55℃~150℃
功率：51W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1310pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2.75A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC645N
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1460pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：06N06L
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：765pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC645N
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1460pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF730ASPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3.3A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6N50FTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.15Ω@2.75A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM320N03CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：8.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：792pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIB6N60APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@3.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV25ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW€6.94W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：597pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP6N80C
工作温度：-55℃~150℃
功率：158W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1310pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2.75A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF730PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF9N60M2
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：320pF@100V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：780mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC645N
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1460pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF6N62K3
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：875pF@50V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.28Ω@2.8A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF730ASPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3.3A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK98150-55A/CUF
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：5.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：137mΩ@5A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN6N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@100V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.25Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF6N80C
工作温度：-55℃~150℃
功率：51W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1310pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2.75A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK78150-55A/CUX
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@5A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF730PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3.3A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP9N60M2
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：320pF@100V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：780mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：06N06L
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：2.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：765pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF6N80C
工作温度：-55℃~150℃
功率：51W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1310pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2.75A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：6669，"14+"：2040，"15+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHT6N06T，135
工作温度：-55℃~150℃
功率：8.3W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@5A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：06N06L
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：765pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF9N60M2
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：320pF@100V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：780mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD6N62K3
工作温度：150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：25.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@50V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.28Ω@2.8A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK98150-55A/CUF
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：5.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：137mΩ@5A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
