采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：12.8nC@4.5V
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：5.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：29.8mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC602P
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：35mΩ@4.5V，5.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC602P
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：35mΩ@4.5V，5.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDC602P
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：35mΩ@4.5V，5.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：44449}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC602P
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：35mΩ@4.5V，5.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDC602P
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250μA
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连续漏极电流：5.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：35mΩ@4.5V，5.5A
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导通电阻：35mΩ@4.5V，5.5A
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功率：1.6W
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行业应用：工业,汽车
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功率：1.6W
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包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：35mΩ@4.5V，5.5A
漏源电压：20V
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导通电阻：29.8mΩ@4.5V，3A
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：12.8nC@4.5V
漏源电压：20V
输入电容：840pF@10V
类型：1个P沟道
连续漏极电流：5.5A
包装清单：商品主体 * 1
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