采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8667-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：39mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8667-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：39mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF9N60M2
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：320pF@100V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：780mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF6N62K3
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：875pF@50V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.28Ω@2.8A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP9N60M2
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：320pF@100V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：780mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8KC6TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J133TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：29.8mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF9N60M2
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：320pF@100V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：780mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD6N62K3
工作温度：150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：25.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@50V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.28Ω@2.8A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF9N60M2
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：320pF@100V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：780mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K37GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.7V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K37GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.7V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UT6K3TCR1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：42mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J143TU，LXHF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：29.8mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J143TU，LXHF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：29.8mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UT6K3TCR1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：42mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E055BNTCR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：355pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J143TU，LXHF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：29.8mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8667-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：39mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J133TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：29.8mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E055BNTCR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：355pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J143TU，LXHF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：29.8mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UT6K3TCR1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：42mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF6N62K3
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：875pF@50V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.28Ω@2.8A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J143TU，LXHF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：29.8mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8667-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：39mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8667-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：39mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E055BNTCR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：355pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E055BNTCR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：355pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8KC6TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
