品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H848NLT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:73W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:57A
类型:MOSFET
导通电阻:9.4mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H848NLT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:73W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:57A
类型:MOSFET
导通电阻:9.4mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H848NLT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:73W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:57A
类型:MOSFET
导通电阻:9.4mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H848NLT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:73W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:57A
类型:MOSFET
导通电阻:9.4mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H848NLT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:73W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:57A
类型:MOSFET
导通电阻:9.4mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:190nC@10V
输入电容:3nF@25V
连续漏极电流:57A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,28A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:200W
阈值电压:4V@250μA
输入电容:3nF@25V
连续漏极电流:57A
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:190nC@10V
导通电阻:25mΩ@10V,28A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H848NLT1G
阈值电压:4V
包装方式:Reel
功率:73W
栅极电荷:16nC
漏源电压:80V
连续漏极电流:57A
工作温度:-55℃~+175℃
导通电阻:9.4mΩ
ECCN:EAR99
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H848NLT1G
阈值电压:4V
包装方式:Reel
功率:73W
栅极电荷:16nC
漏源电压:80V
连续漏极电流:57A
工作温度:-55℃~+175℃
导通电阻:9.4mΩ
ECCN:EAR99
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H848NLT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:73W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:57A
类型:MOSFET
导通电阻:9.4mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H848NLT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:73W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:57A
类型:MOSFET
导通电阻:9.4mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:130nC@10V
输入电容:3.13nF@25V
连续漏极电流:57A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@10V,28A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:190nC@10V
输入电容:3nF@25V
连续漏极电流:57A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,28A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:190nC@10V
输入电容:3nF@25V
连续漏极电流:57A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,28A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:130nC@10V
输入电容:3.13nF@25V
连续漏极电流:57A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@10V,28A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:130nC@10V
输入电容:3.13nF@25V
连续漏极电流:57A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@10V,28A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:130nC@10V
输入电容:3.13nF@25V
连续漏极电流:57A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@10V,28A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:130nC@10V
输入电容:3.13nF@25V
连续漏极电流:57A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@10V,28A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H848NLT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:73W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:57A
类型:MOSFET
导通电阻:9.4mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:200W
阈值电压:4V@250μA
输入电容:3.13nF@25V
连续漏极电流:57A
栅极电荷:130nC@10V
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
导通电阻:23mΩ@10V,28A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: