首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    连续漏极电流: 900mA
    包装方式: 卷带(TR)
    漏源电压: 20V
    工作温度: -55℃~150℃
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:80+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    onsemi Mosfet场效应管 FDV305N
    onsemi Mosfet场效应管 FDV305N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDV305N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:109pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2012SN-7 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2012SN-7 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2012SN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:178.5pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2200UDW-13 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2200UDW-13 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2200UDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:450mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:184pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:260mΩ@880mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDV305N
    onsemi Mosfet场效应管 FDV305N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDV305N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:109pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:17
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFD-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFD-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2450UFD-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:52pF@16V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:40
    AOS Mosfet场效应管 AO7800 起订24个装
    AOS Mosfet场效应管 AO7800 起订24个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO7800

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:900mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:300mΩ@900mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2200UDW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2200UDW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2200UDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:184pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    导通电阻:260mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:21
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFD-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFD-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2450UFD-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:52pF@16V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFDQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFDQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2400UFDQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:37pF@16V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFDQ-7 起订25个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFDQ-7 起订25个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2400UFDQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:37pF@16V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2200UDW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2200UDW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2200UDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:184pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    导通电阻:260mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2200UDW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2200UDW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2200UDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:184pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    导通电阻:260mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFDQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFDQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2400UFDQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:37pF@16V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:200
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFD-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFD-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2450UFD-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:52pF@16V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15
    onsemi Mosfet场效应管 FDV305N
    onsemi Mosfet场效应管 FDV305N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDV305N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:109pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    加购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2200UDW-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2200UDW-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2200UDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:450mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:184pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:260mΩ@880mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDV305N
    onsemi Mosfet场效应管 FDV305N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDV305N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:109pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    onsemi Mosfet场效应管 FDV305N
    onsemi Mosfet场效应管 FDV305N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDV305N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:109pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12000
    加购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FDV305N
    onsemi Mosfet场效应管 FDV305N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDV305N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:109pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:200
    onsemi Mosfet场效应管 FDV305N 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDV305N 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDV305N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:109pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2200UDW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2200UDW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2200UDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:184pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    导通电阻:260mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFD-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFD-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2450UFD-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:52pF@16V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    onsemi Mosfet场效应管 FDV305N
    onsemi Mosfet场效应管 FDV305N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDV305N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:109pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    onsemi Mosfet场效应管 FDV305N
    onsemi Mosfet场效应管 FDV305N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDV305N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:109pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDV305N
    onsemi Mosfet场效应管 FDV305N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDV305N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:109pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    加购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFD-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFD-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2450UFD-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:52pF@16V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2200UDW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2200UDW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2200UDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:184pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    导通电阻:260mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFD-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFD-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2450UFD-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:52pF@16V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2200UDW-7 起订9000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2200UDW-7 起订9000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2200UDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:450mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:184pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:260mΩ@880mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    onsemi Mosfet场效应管 FDV305N 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDV305N 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDV305N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:109pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧