品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@10V,1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3471_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:8nC@10V
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:650mΩ@900mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3471_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:8nC@10V
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:650mΩ@900mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@10V,1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3471_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:8nC@10V
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:650mΩ@900mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
输入电容:150pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:600mΩ@4.5V,610mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1200,"21+":1650,"22+":2489,"24+":549}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@10V,1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@10V,1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@10V,1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@10V,1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@10V,1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@10V,1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@10V,1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@10V,1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@10V,1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@10V,1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3471_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:8nC@10V
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:650mΩ@900mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@10V,1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@10V,1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@10V,1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@10V,1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3471_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:8nC@10V
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:650mΩ@900mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@10V,1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@10V,1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@10V,1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LP137N3T5G
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LP137N3T5G
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@10V,1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:300mΩ@10V,1A
输入电容:135pF@15V
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
栅极电荷:3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:300mΩ@10V,1A
输入电容:135pF@15V
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
栅极电荷:3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存: