采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH4015SSS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@9.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH4015SSSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@9.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH4015SSSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@9.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@9.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH4015SSS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH4015SSSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@9.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@9.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R310CFDATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：104.2W
阈值电压：4.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：11.4A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@4.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@9.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@9.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R310CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：104.2W
阈值电压：4.5V@440µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@100V
连续漏极电流：11.4A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@4.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@9.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：912}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTL4502NT1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1605pF@20V
连续漏极电流：11.4A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：11mΩ@15A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH4015SSSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@9.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH4015SSS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@9.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH4015SSS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH4015SSS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@9.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB12UNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@10V
连续漏极电流：11.4A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@7.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH4015SSSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R310CFDATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：104.2W
阈值电压：4.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：11.4A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@4.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@9.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R310CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：104.2W
阈值电压：4.5V@440µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@100V
连续漏极电流：11.4A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@4.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH4015SSS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
