采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP090N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：208W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8225pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86135
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7295pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：4800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7107-55AIE，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：272W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP75N04YUG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€138W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6450pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@37.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP75N04YUG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€138W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6450pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@37.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP75N04YLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：138W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6450pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@38A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP75N04YLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：138W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6450pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@38A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86135
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7295pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP090N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：208W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8225pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：4800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7107-55AIE，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：272W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP090N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：208W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8225pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP75N04YUG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€138W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6450pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@37.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP090N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：208W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8225pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP75N04YLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：138W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6450pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@38A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP75N04YLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：138W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6450pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@38A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86135
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7295pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP75N04YLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：138W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6450pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@38A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP75N04YLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：138W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6450pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@38A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP75N04YLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：138W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6450pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@38A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：4800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7107-55AIE，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：272W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP090N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：208W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8225pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP090N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：208W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8225pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86135
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7295pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB86135
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
连续漏极电流：75A
输入电容：7295pF@25V
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€227W
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：3.5mΩ@75A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
栅极电荷：116nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"18+"：2500}
规格型号(MPN)：NP75N04YUG-E1-AY
包装方式：卷带（TR）
功率：1W€138W
漏源电压：40V
类型：N沟道
连续漏极电流：75A
工作温度：175℃
导通电阻：4.8mΩ@37.5A，10V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：6450pF@25V
栅极电荷：116nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP75N04YLG-E1-AY
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
功率：138W
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：75A
工作温度：175℃
导通电阻：4.8mΩ@38A，10V
ECCN：EAR99
输入电容：6450pF@25V
栅极电荷：116nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP75N04YUG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€138W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6450pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@37.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86135
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7295pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86135
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7295pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP75N04YLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：138W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6450pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@38A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
