品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MCP75N10Y-BP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.27nF@50V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MCP75N10Y-BP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.27nF@50V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MCP75N10Y-BP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.27nF@50V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW75NF20
工作温度:-50℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3260pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@37A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75652G3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:515W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:475nC@20V
包装方式:管件
输入电容:7.585nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75652G3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:515W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:475nC@20V
包装方式:管件
输入电容:7.585nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:3.45nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.5mΩ@10V,66A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75652G3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:515W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:475nC@20V
包装方式:管件
输入电容:7.585nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75652G3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:515W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:475nC@20V
包装方式:管件
输入电容:7.585nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75652G3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:515W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:475nC@20V
包装方式:管件
输入电容:7.585nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75652G3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:515W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:475nC@20V
包装方式:管件
输入电容:7.585nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75652G3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:515W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:475nC@20V
包装方式:管件
输入电容:7.585nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MCP75N10Y-BP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.27nF@50V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:3.45nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.5mΩ@10V,66A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:3.45nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.5mΩ@10V,66A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:3.45nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.5mΩ@10V,66A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:200W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.7mΩ@10V,75A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75652G3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:515W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:475nC@20V
包装方式:管件
输入电容:7.585nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75652G3
栅极电荷:475nC@20V
类型:1个N沟道
功率:515W
连续漏极电流:75A
导通电阻:8mΩ@75A,10V
输入电容:7.585nF@25V
阈值电压:4V@250μA
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+175℃
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75652G3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:515W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:475nC@20V
包装方式:管件
输入电容:7.585nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:3.45nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.5mΩ@10V,66A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:3.27nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.4mΩ@10V,53A
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:3.27nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.4mΩ@10V,53A
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:3.45nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.5mΩ@10V,66A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:3.27nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.4mΩ@10V,53A
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:240nC@10V
输入电容:6.45nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.3mΩ@10V,75A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75652G3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:515W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:475nC@20V
包装方式:管件
输入电容:7.585nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:3.27nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.4mΩ@10V,53A
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:285W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@10V,75A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MCP75N10Y-BP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.27nF@50V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: