品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXKN75N60C
工作温度:-40℃~150℃
功率:560W
阈值电压:3.9V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:500nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@50A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRF3205Z
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3450pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@66A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R019C7FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:4V@2.92mA
栅极电荷:215nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9900pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@58.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R019C7FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:4V@2.92mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:215nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9900pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@58.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP100N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:208W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7300pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW75NF20
工作温度:-50℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3260pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@37A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75645P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:238nC@20V
包装方式:管件
输入电容:3790pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":973}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7E2R7-30B,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6212pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP114N12N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4310pF@60V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:11.4mΩ@75A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF4104PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@75A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH029N65S3-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:463W
阈值电压:4.5V@7mA
栅极电荷:201nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6340pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@37.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH023N65S3-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:595W
阈值电压:4.5V@7.5mA
栅极电荷:222nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7160pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@37.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL3705ZPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:60nC@5V
包装方式:管件
输入电容:2880pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@52A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL027N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:595W
阈值电压:5V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7630pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@35A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75545P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:270W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:235nC@20V
包装方式:管件
输入电容:3750pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@75A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB7546PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:99W
阈值电压:3.7V@100µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1010EZPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2810pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@51A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":84,"12+":4000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9509-75A,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:8840pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1405ZPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4780pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@75A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH023N65S3L4
工作温度:-55℃~150℃
功率:595W
阈值电压:4.5V@7.5mA
栅极电荷:222nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7160pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@37.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":402}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRF1010EZS
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2810pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@51A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":5933,"19+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7E8R3-40E,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:96W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1730pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1405ZPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4780pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@75A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF2807ZPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3270pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@53A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75542P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:180nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2750pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@75A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":450,"21+":5}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK758R3-40E,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:96W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1730pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRF3205Z
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3450pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@66A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75852G3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:480nC@20V
包装方式:管件
输入电容:7690pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@75A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75645P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:238nC@20V
包装方式:管件
输入电容:3790pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":319}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R9-60XSQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5494pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: