品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R019C7FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:4V@2.92mA
栅极电荷:215nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9900pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@58.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R019C7FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:4V@2.92mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:215nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9900pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@58.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH029N65S3-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:463W
阈值电压:4.5V@7mA
栅极电荷:201nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6340pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@37.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH023N65S3-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:595W
阈值电压:4.5V@7.5mA
栅极电荷:222nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7160pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@37.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL027N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:595W
阈值电压:5V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7630pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@35A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH023N65S3L4
工作温度:-55℃~150℃
功率:595W
阈值电压:4.5V@7.5mA
栅极电荷:222nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7160pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@37.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH023N65S3-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:595W
阈值电压:4.5V@7.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:222nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7160pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@37.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ65R019C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:4V@2.92mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:215nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9900pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@58.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH029N65S3-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:463W
阈值电压:4.5V@7mA
栅极电荷:201nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6340pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@37.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH029N65S3-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:463W
阈值电压:4.5V@7mA
栅极电荷:201nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6340pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@37.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ65R019C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:4V@2.92mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:215nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9900pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@58.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":4196}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH029N65S3-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:463W
阈值电压:4.5V@7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:201nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6340pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@37.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":4196}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH029N65S3-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:463W
阈值电压:4.5V@7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:201nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6340pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@37.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L027N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:595W
阈值电压:5V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:259nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7690pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@35A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH023N65S3-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:595W
阈值电压:4.5V@7.5mA
栅极电荷:222nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7160pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@37.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVHL025N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:595W
阈值电压:4.5V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:236nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7330pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@37.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ65R019C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:4V@2.92mA
栅极电荷:215nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9900pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@58.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVHL027N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:595W
阈值电压:5V@3mA
栅极电荷:227nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7780pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@35A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVHL027N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:595W
阈值电压:5V@3mA
栅极电荷:227nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7780pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@35A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R019C7FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:4V@2.92mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:215nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9900pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@58.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH027N65S3F-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:595W
阈值电压:5V@7.5mA
栅极电荷:259nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7690pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@35A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVHL027N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:595W
阈值电压:5V@3mA
栅极电荷:227nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7780pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@35A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW75N65DM6-4
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:118nC@10V
输入电容:5.7nF@100V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:36mΩ@37.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW75N65DM6-4
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:118nC@10V
输入电容:5.7nF@100V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:36mΩ@37.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":4196}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH029N65S3-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:463W
阈值电压:4.5V@7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:201nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6340pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@37.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R019C7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:446W
阈值电压:3V
栅极电荷:215nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:75A
类型:MOSFET
导通电阻:19mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R019C7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:446W
阈值电压:3V
栅极电荷:215nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:75A
类型:MOSFET
导通电阻:19mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R019C7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:446W
阈值电压:3V
栅极电荷:215nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:75A
类型:MOSFET
导通电阻:19mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4LN019N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:4V@14.3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:282nC@10V
包装方式:管件
输入电容:15993pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:19.3mΩ@37.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ65R019C7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:446W
阈值电压:3V
栅极电荷:215nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:75A
类型:MOSFET
导通电阻:17mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: