采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA66EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：68W
阈值电压：3.3V@250μA
栅极电荷：98nC@10V
输入电容：5.4nF@25V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA66EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：68W
阈值电压：3.3V@250μA
栅极电荷：98nC@10V
输入电容：5.4nF@25V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT69M5LH3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W€96W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.406nF@30V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：294}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3357-A
功率：150W€3W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
输入电容：9.8nF@10V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.8mΩ@38A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA66EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：68W
阈值电压：3.3V@250μA
栅极电荷：98nC@10V
输入电容：5.4nF@25V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT69M5LH3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W€96W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.406nF@30V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA66EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：68W
阈值电压：3.3V@250μA
栅极电荷：98nC@10V
输入电容：5.4nF@25V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA66EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：68W
阈值电压：3.3V@250μA
栅极电荷：98nC@10V
输入电容：5.4nF@25V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT69M5LH3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W€96W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.406nF@30V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA66EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：68W
阈值电压：3.3V@250μA
栅极电荷：98nC@10V
输入电容：5.4nF@25V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：294}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3357-A
功率：150W€3W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
输入电容：9.8nF@10V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.8mΩ@38A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT69M5LH3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W€96W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：28.4nC@10V
包装方式：管件
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连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT69M5LH3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W€96W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.406nF@30V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT69M5LH3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W€96W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.406nF@30V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：230W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：168nC@10V
输入电容：8.3nF@25V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.6mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：230W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：168nC@10V
输入电容：8.3nF@25V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.6mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA66EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：68W
阈值电压：3.3V@250μA
栅极电荷：98nC@10V
输入电容：5.4nF@25V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT69M5LH3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W€96W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.406nF@30V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：294}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3357-A
功率：150W€3W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
输入电容：9.8nF@10V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.8mΩ@38A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：294}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3357-A
功率：150W€3W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
输入电容：9.8nF@10V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.8mΩ@38A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：294}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3357-A
功率：150W€3W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
输入电容：9.8nF@10V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.8mΩ@38A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：230W
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
栅极电荷：168nC@10V
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：75A
漏源电压：60V
导通电阻：3.6mΩ@25A，10V
输入电容：8.3nF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
