采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP25H18DLFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：81pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP25H18DLFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：81pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP92PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@130µA
栅极电荷：5.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：104pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@260mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP92PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：104pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@260mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2520N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@200mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP25H18DLFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：81pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP25H18DLFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：81pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2520N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@200mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP25H18DLFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：81pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84KT-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84KT-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP25H18DLFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：81pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP25H18DLFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：81pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84KT-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP25H18DLFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：81pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP92PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：104pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@260mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP25H18DLFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：81pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84KT-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP92PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：104pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@260mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84KT-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP25H18DLFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：81pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP92PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：104pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@260mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP25H18DLFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：81pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP92PL6327HTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：104pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@260mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP92PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：104pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@260mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2520N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@200mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP92PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@130µA
栅极电荷：5.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：104pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@260mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2520N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@200mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP92PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：104pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@260mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP92PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：104pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@260mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
