采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS87 H6327
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：3.7nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：260mA
类型：MOSFET
导通电阻：3.9Ω
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：2V@250μA
输入电容：25pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10V，115mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：1000psc
规格型号(MPN)：BSS87 H6327
包装方式：Reel
连续漏极电流：260mA
栅极电荷：3.7nC
漏源电压：240V
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：3.9Ω
功率：1W
阈值电压：1.2V
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：2V@250μA
输入电容：25pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10V，115mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：870pC@10V
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.8Ω@10V，200mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320mW
阈值电压：1.1V@250μA
栅极电荷：360pC@4.5V
输入电容：27.9pF@10V
连续漏极电流：260mA
类型：1个N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320mW
阈值电压：1.1V@250μA
栅极电荷：360pC@4.5V
输入电容：27.9pF@10V
连续漏极电流：260mA
类型：1个N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：2V@250μA
输入电容：25pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10V，115mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2.6V@250μA
栅极电荷：810pC@5V
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，240mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：2V@250μA
输入电容：25pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10V，115mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW€2.3W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：600pC@10V
输入电容：15pF@30V
连续漏极电流：260mA
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2Ω@190mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：870pC@10V
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.8Ω@10V，200mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW€2.3W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：600pC@10V
输入电容：15pF@30V
连续漏极电流：260mA
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2Ω@190mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：2V@250μA
输入电容：25pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10V，115mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2.6V@250μA
栅极电荷：810pC@5V
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，240mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：2V@250μA
输入电容：25pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10V，115mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002ET1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：810pC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26.7pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，240mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS87 H6327
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：3.7nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：260mA
类型：MOSFET
导通电阻：3.9Ω
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：360mW€2.3W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：600pC@10V
导通电阻：4.2Ω@190mA，10V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
输入电容：15pF@30V
连续漏极电流：260mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
