品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH26N60P
工作温度:-55℃~150℃
功率:460W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:4150pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTY26P10T
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:3820pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):12psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NXV65HR82DS1
工作温度:-40℃~+125℃
功率:126W
阈值电压:5V
栅极电荷:79.7nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:26A
类型:MOSFET
导通电阻:82mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTY26P10T
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:3820pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP26P20P
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:2740pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:P沟道
导通电阻:170mΩ@13A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):12psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NXV65HR82DS1
工作温度:-40℃~+125℃
功率:126W
阈值电压:5V
栅极电荷:79.7nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:26A
类型:MOSFET
导通电阻:82mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):12psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NXV65HR82DS1
工作温度:-40℃~+125℃
功率:126W
阈值电压:5V
栅极电荷:79.7nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:26A
类型:MOSFET
导通电阻:82mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):12psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NXV65HR82DS1
工作温度:-40℃~+125℃
功率:126W
阈值电压:5V
栅极电荷:79.7nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:26A
类型:MOSFET
导通电阻:82mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):12psc
规格型号(MPN):NXV65HR82DS1
工作温度:-40℃~+125℃
功率:126W
包装方式:Tube
漏源电压:650V
导通电阻:82mΩ
阈值电压:5V
栅极电荷:79.7nC
类型:MOSFET
连续漏极电流:26A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH26N60P
工作温度:-55℃~150℃
功率:460W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:4150pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTY26P10T
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:3820pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTY26P10T
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:3820pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):12psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NXV65HR82DS1
工作温度:-40℃~+125℃
功率:126W
阈值电压:5V
栅极电荷:79.7nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:26A
类型:MOSFET
导通电阻:82mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP26P20P
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:2740pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:P沟道
导通电阻:170mΩ@13A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP26P20P
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:2740pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:P沟道
导通电阻:170mΩ@13A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH26N60P
工作温度:-55℃~150℃
功率:460W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:4150pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP26P20P
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:2740pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:P沟道
导通电阻:170mΩ@13A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH26N60P
工作温度:-55℃~150℃
功率:460W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:4150pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH26N60P
工作温度:-55℃~150℃
功率:460W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:4150pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTY26P10T
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:3820pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTY26P10T
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:3820pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH26N60P
工作温度:-55℃~150℃
功率:460W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:4150pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH26N60P
工作温度:-55℃~150℃
功率:460W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:4150pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):12psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NXV65HR82DS1
工作温度:-40℃~+125℃
功率:126W
阈值电压:5V
栅极电荷:79.7nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:26A
类型:MOSFET
导通电阻:82mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):12psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NXV65HR82DS1
工作温度:-40℃~+125℃
功率:126W
阈值电压:5V
栅极电荷:79.7nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:26A
类型:MOSFET
导通电阻:82mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):12psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NXV65HR82DS1
工作温度:-40℃~+125℃
功率:126W
阈值电压:5V
栅极电荷:79.7nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:26A
类型:MOSFET
导通电阻:82mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: