采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R506NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD409
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN11006PL，LQ
工作温度：175℃
功率：610mW€61W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1625pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9K17-60E，115
工作温度：-55℃~+175℃
功率：53W
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：16.5nC@5V
输入电容：1.667nF@25V
连续漏极电流：26A
类型：2个N沟道
反向传输电容：91pF@25V
导通电阻：14mΩ@5V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R506NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD409
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9K17-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2223pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15.6mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R506NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD409
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R506NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN11006PL，LQ
工作温度：175℃
功率：610mW€61W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1625pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD409
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R506NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD409
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD409
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDB5060L
工作温度：-65℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDB5060L
工作温度：-65℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDB5060L
工作温度：-65℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9K17-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2223pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15.6mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDB5060L
工作温度：-65℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R506NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD409
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD409
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD409
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD409
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD409
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN11006PL，LQ
工作温度：175℃
功率：610mW€61W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1625pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD409
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD409
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN11006PL，LQ
工作温度：175℃
功率：610mW€61W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1625pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
