采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM042N03CS RLG
工作温度：175℃
功率：7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：30N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1562pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：30N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1562pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM340N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：66W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM340N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：66W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：30N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1562pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：30N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1562pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：30N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1562pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：30N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1562pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：30N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1562pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM340N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：66W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06L
工作温度：-55℃~150℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1562pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：30N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1562pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G30N04D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM042N03CS RLG
工作温度：175℃
功率：7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G30N04D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06L
工作温度：-55℃~150℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1562pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06L
工作温度：-55℃~150℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1562pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06L
工作温度：-55℃~150℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1562pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06L
工作温度：-55℃~150℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1562pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06L
工作温度：-55℃~150℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1562pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06L
工作温度：-55℃~150℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1562pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06L
工作温度：-55℃~150℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1562pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06L
工作温度：-55℃~150℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1562pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06L
工作温度：-55℃~150℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1562pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06L
工作温度：-55℃~150℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1562pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G30N04D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM340N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：66W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06L
工作温度：-55℃~150℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1562pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM042N03CS RLG
工作温度：175℃
功率：7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
