采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW26NM50
工作温度：150℃
功率：313W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@13A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW26NM50
工作温度：150℃
功率：313W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@13A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT30F50B
工作温度：-55℃~150℃
功率：415W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4525pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@14A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH30N50P
工作温度：-55℃~150℃
功率：460W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4150pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@15A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH30N50P
工作温度：-55℃~150℃
功率：460W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4150pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@15A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：20psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMIX2F60N50P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：320W
阈值电压：5V@4mA
包装方式：管件
输入电容：6250pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：110mΩ@30A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH30N50Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：690W
阈值电压：6.5V@4mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3200pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@15A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG32N50D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：390W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2550pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@16A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH30N50Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：690W
阈值电压：6.5V@4mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3200pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@15A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT5017BVRG
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5280pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@500mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW26NM50
工作温度：150℃
功率：313W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@13A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW26NM50
工作温度：150℃
功率：313W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@13A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT5017SVRG
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：300nC@10V
输入电容：5.28nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：170mΩ@500mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT5017SVRG
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：300nC@10V
输入电容：5.28nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：170mΩ@500mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW26NM50
工作温度：150℃
功率：313W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@13A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH30N50P
工作温度：-55℃~150℃
功率：460W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4150pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@15A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：20psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMIX2F60N50P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：320W
阈值电压：5V@4mA
包装方式：管件
输入电容：6250pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：110mΩ@30A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：20psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMIX2F60N50P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：320W
阈值电压：5V@4mA
包装方式：管件
输入电容：6250pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：110mΩ@30A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：20psc
规格型号(MPN)：MMIX2F60N50P3
漏源电压：500V
工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）
功率：320W
输入电容：6250pF@25V
包装方式：管件
阈值电压：5V@4mA
连续漏极电流：30A
导通电阻：110mΩ@30A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH30N50L2
工作温度：-55℃~150℃
功率：400W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：240nC@10V
输入电容：8100pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@15A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT30F50B
工作温度：-55℃~150℃
功率：415W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4525pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@14A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW26NM50
工作温度：150℃
功率：313W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@13A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW26NM50
工作温度：150℃
功率：313W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@13A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG32N50D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：390W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2550pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@16A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW26NM50
工作温度：150℃
功率：313W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@13A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW26NM50
工作温度：150℃
功率：313W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@13A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW26NM50
工作温度：150℃
功率：313W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@13A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW26NM50
工作温度：150℃
功率：313W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@13A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW26NM50
工作温度：150℃
功率：313W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@13A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW26NM50
工作温度：150℃
功率：313W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@13A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
