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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7852ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1825pF@40V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1825pF@40V
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类型：N沟道
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漏源电压：80V
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1825pF@40V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
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类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
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规格型号(MPN)：STL30N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@50V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STL30N10F7
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功率：75W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
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输入电容：920pF@50V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7852ADP-T1-E3
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功率：5W€62.5W
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ECCN：EAR99
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输入电容：1825pF@40V
连续漏极电流：30A
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漏源电压：80V
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类型：N沟道
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连续漏极电流：30A
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连续漏极电流：30A
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漏源电压：100V
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输入电容：1825pF@40V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
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栅极电荷：45nC@10V
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输入电容：1825pF@40V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
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功率：5W€62.5W
阈值电压：4.5V@250µA
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栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1825pF@40V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
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输入电容：920pF@50V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7852ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1825pF@40V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7852ADP-T1-E3
阈值电压：4.5V@250µA
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输入电容：1825pF@40V
栅极电荷：45nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：80V
功率：5W€62.5W
导通电阻：17mΩ@10A，10V
连续漏极电流：30A
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL30N10F7
阈值电压：4.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@50V
栅极电荷：14nC@10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：35mΩ@4A，10V
连续漏极电流：30A
漏源电压：100V
功率：75W
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STL30N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@50V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7852ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1825pF@40V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7852ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1825pF@40V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7852ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1825pF@40V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7852ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1825pF@40V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7852ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1825pF@40V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL30N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@50V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7852ADP-T1-E3
阈值电压：4.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1825pF@40V
栅极电荷：45nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：80V
功率：5W€62.5W
导通电阻：17mΩ@10A，10V
连续漏极电流：30A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
