品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ403EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ403BEEP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:164nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ403BEEP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:164nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ30S06M3L(T6L1,NQ
工作温度:175℃
功率:68W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3950pF@10V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:21.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ403EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ30S06M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:68W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3950pF@10V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:21.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K29-100E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3491pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ403BEEP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:164nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ403EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD26N06S2L35ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2V@26µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:621pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@13A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD26N06S2L35ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2V@26µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:621pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@13A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD26N06S2L35ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2V@26µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:621pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@13A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD26N06S2L35ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2V@26µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:621pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@13A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ30S06M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:68W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3950pF@10V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:21.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ403BEEP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:164nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K29-100E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3491pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD26N06S2L35ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2V@26µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:621pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@13A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ403BEEP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:164nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K29-100E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3491pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ403BEEP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:164nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K29-100E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3491pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K29-100E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3491pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ403BEEP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:164nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD26N06S2L35ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2V@26µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:621pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@13A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD26N06S2L35ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2V@26µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:621pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@13A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD26N06S2L35ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2V@26µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:621pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@13A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ403EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K29-100E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3491pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K29-100E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3491pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ403BEEP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:164nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: