采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB099N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@740μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.48nF@400V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：99mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6530ENXC7G
功率：86W
阈值电压：4V@960μA
栅极电荷：90nC@10V
输入电容：2.1nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@14.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6530ENXC7G
功率：86W
阈值电压：4V@960μA
栅极电荷：90nC@10V
输入电容：2.1nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@14.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6530ENZ4C13
功率：305W
阈值电压：4V@960μA
栅极电荷：90nC@10V
输入电容：2.1nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@14.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB099N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@740μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.48nF@400V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：99mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6530ENXC7G
功率：86W
阈值电压：4V@960μA
栅极电荷：90nC@10V
输入电容：2.1nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@14.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB099N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@740μA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.48nF@400V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：99mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB099N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@740μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.48nF@400V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：99mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6530ENZ4C13
功率：305W
阈值电压：4V@960μA
栅极电荷：90nC@10V
输入电容：2.1nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@14.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB099N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@740μA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.48nF@400V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：99mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB099N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@740μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.48nF@400V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：99mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6530ENXC7G
功率：86W
阈值电压：4V@960μA
栅极电荷：90nC@10V
输入电容：2.1nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@14.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6530ENXC7G
功率：86W
阈值电压：4V@960μA
栅极电荷：90nC@10V
输入电容：2.1nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@14.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6530ENZ4C13
功率：305W
阈值电压：4V@960μA
栅极电荷：90nC@10V
输入电容：2.1nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@14.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6530KNZ4C13
功率：305W
阈值电压：5V@960μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.35nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@14.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6530KNZ4C13
漏源电压：650V
阈值电压：5V@960μA
输入电容：2.35nF@25V
类型：1个N沟道
栅极电荷：56nC@10V
导通电阻：140mΩ@14.5A，10V
连续漏极电流：30A
功率：305W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：NVB099N65S3
导通电阻：99mΩ@15A，10V
功率：227W
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
阈值电压：4.5V@740μA
输入电容：2.48nF@400V
栅极电荷：61nC@10V
漏源电压：650V
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：30A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW38N65M5
漏源电压：650V
阈值电压：5V@250μA
包装方式：管件
类型：1个N沟道
导通电阻：95mΩ@10V，15A
连续漏极电流：30A
ECCN：EAR99
功率：190W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
