采购热线 400-661-9010
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT30N06L
工作温度：-55℃~+175℃
功率：44W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
反向传输电容：66pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT30N06L
工作温度：-55℃~+175℃
功率：44W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
反向传输电容：66pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：123nC@10V
输入电容：2.159nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：75mΩ@10V，18A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT30N06L
工作温度：-55℃~+175℃
功率：44W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
反向传输电容：66pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT30N06L
工作温度：-55℃~+175℃
功率：44W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
反向传输电容：66pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPG30N06
工作温度：-55℃~+175℃
功率：44W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
反向传输电容：66pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT30N06L
工作温度：-55℃~+175℃
功率：44W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
反向传输电容：66pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2232
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG080N120SC1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.154nF@800V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.9pF@800V
导通电阻：80mΩ@20V，20A
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：123nC@10V
输入电容：2.159nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：75mΩ@10V，18A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：123nC@10V
输入电容：2.159nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：75mΩ@10V，18A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：123nC@10V
输入电容：2.159nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：75mΩ@10V，18A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：123nC@10V
输入电容：2.159nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：75mΩ@10V，18A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：123nC@10V
输入电容：2.159nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：75mΩ@10V，18A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：123nC@10V
输入电容：2.159nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：75mΩ@10V，18A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y38-100EX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：95W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：30.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.72nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPG30N06
工作温度：-55℃~+175℃
功率：44W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
反向传输电容：66pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPG30N06
工作温度：-55℃~+175℃
功率：44W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
反向传输电容：66pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y38-100EX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：95W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：30.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.72nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：123nC@10V
输入电容：2.159nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：75mΩ@10V，18A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：123nC@10V
输入电容：2.159nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：75mΩ@10V，18A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：57W
阈值电压：2.4V@29μA
栅极电荷：31nC@10V
输入电容：1.976nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：31mΩ@10V，30A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：57W
阈值电压：2.4V@29μA
栅极电荷：31nC@10V
输入电容：1.976nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：31mΩ@10V，30A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：123nC@10V
输入电容：2.159nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：75mΩ@10V，18A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：88W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：57W
阈值电压：2.4V@29μA
栅极电荷：31nC@10V
输入电容：1.976nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：31mΩ@10V，30A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
