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    连续漏极电流: 30A
    类型: N沟道
    漏源电压: 40V
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    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G300GNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR426DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR426DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR426DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€41.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G300GNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT4011LFG-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT4011LFG-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT4011LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:15.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:767pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ420EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ420EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ420EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1860pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@9.7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40052EL_GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40052EL_GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40052EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M24-40EX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M24-40EX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M24-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT4011LFG-7 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT4011LFG-7 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT4011LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:15.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:767pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M24-40EX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M24-40EX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M24-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT4011LFG-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT4011LFG-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT4011LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:15.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:767pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M15-40HX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M15-40HX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M15-40HX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1026pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ420EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ420EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ420EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1860pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@9.7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G300GNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:56.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M15-40HX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M15-40HX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7M15-40HX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:3.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:801pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M15-40HX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M15-40HX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M15-40HX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1026pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40052EL_GE3 起订4000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40052EL_GE3 起订4000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40052EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G300GNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR426DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR426DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR426DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€41.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订2000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订2000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G300GNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:56.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40052EL_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40052EL_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40052EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR426DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR426DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR426DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€41.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M15-40HX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M15-40HX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M15-40HX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1026pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订2000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订2000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G300GNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:56.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订300个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订300个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G300GNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:56.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M15-40HX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M15-40HX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M15-40HX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1026pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M24-40EX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M24-40EX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M24-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M24-40EX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M24-40EX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M24-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR426DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR426DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR426DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€41.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40052EL_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40052EL_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40052EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR426DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR426DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR426DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€41.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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