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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA100N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1851pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA100N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1851pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP100N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1851pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
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规格型号(MPN)：SIHB100N60E-GE3
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功率：208W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
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包装方式：管件
输入电容：1851pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
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规格型号(MPN)：SIHA100N60E-GE3
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功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
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输入电容：1851pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
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功率：208W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@13A，10V
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功率：35W
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栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
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类型：N沟道
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