采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：32866}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS9511L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：68.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS9511L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：68.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS9511L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：68.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：32866}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS9511L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：68.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86381-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：866pF@40V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：32866}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS9511L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：68.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86381-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：866pF@40V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
