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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS435DNT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@13A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR424DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€41.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIS435DNT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@13A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：SIS435DNT-T1-GE3
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输入电容：5700pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@13A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR424DP-T1-GE3
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功率：4.8W€41.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
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功率：4.8W€41.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
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功率：4.8W€41.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
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输入电容：1250pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR424DP-T1-GE3
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功率：4.8W€41.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS435DNT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@13A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIS435DNT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@13A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIS435DNT-T1-GE3
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阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：180nC@8V
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输入电容：5700pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@13A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIS435DNT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@13A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：VISHAY
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR424DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€41.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR424DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€41.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS435DNT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：180nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@13A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR424DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€41.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS435DNT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@13A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS435DNT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@13A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR424DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€41.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS435DNT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@13A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS435DNT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@13A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR424DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€41.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS435DNT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@13A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR424DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€41.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR424DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€41.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR802DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.6W€27.7W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1785pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS435DNT-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
输入电容：5700pF@10V
导通电阻：5.4mΩ@13A，4.5V
类型：P沟道
功率：3.7W€39W
漏源电压：20V
连续漏极电流：30A
栅极电荷：180nC@8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR424DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€41.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2311
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS435DNT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@13A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2311
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS435DNT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@13A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
