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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB24N65EFT1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2774pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR172ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：29.8W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ850EP-T2_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@30V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4168DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1720pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ850EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@30V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ850EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@30V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB24N65EFT1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2774pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS472ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG24N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2740pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7619DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€27.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG24N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2740pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB24N65EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2774pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS472ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4156DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ850EP-T2_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@30V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB24N65EFT1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2774pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ850EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@30V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ850EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@30V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7619DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€27.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB24N65EFT1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2774pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR172ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：29.8W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ850EP-T2_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@30V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4168DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1720pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7619DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€27.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS472ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7619DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€27.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4168DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1720pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4156DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB24N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2740pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4168DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1720pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
