采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ850EP-T2_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@30V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06LAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ850EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@30V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ850EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@30V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ850EP-T2_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@30V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD30N6LF6AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1320pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ850EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@30V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ850EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@30V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD30N6LF6AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1320pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ850EP-T2_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@30V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ850EP-T2_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@30V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ850EP-T2_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@30V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ850EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@30V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ850EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@30V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ850EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@30V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ850EP-T2_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@30V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ850EP-T2_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@30V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ850EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@30V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ850EP-T2_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@30V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
