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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4168DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1720pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7619DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€27.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7619DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€27.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4168DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1720pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7619DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€27.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7619DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€27.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4168DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1720pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4168DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1720pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4168DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1720pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7619DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€27.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4168DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1720pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7619DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€27.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4168DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1720pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4168DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1720pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4168DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1720pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4168DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1720pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7619DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€27.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7619DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€27.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1329}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8240LET40
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：24A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.6mΩ@23A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
