品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP125N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:181W
阈值电压:4.5V@2.4mA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1940pF@400V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB160A60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB160A60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB160A60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):AOB160A60L
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:160mΩ@12A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
类型:N沟道
阈值电压:3.6V@250µA
输入电容:2340pF@100V
栅极电荷:46nC@10V
连续漏极电流:24A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB160A60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB160A60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: