采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB150CF C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1765pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@4.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFX24N100Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1000W
阈值电压：6.5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7200pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：440mΩ@12A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW30N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1530pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@12A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP33N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1870pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT24F50B
工作温度：-55℃~150℃
功率：335W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3630pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@11A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH24N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4200pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@12A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW33N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1870pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG24N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2740pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF125N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：4V@2.1mA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2200pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG24N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2740pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFL32N120P
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
阈值电压：6.5V@1mA
栅极电荷：360nC@10V
包装方式：管件
输入电容：21000pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@16A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP24N65X2
工作温度：-55℃~150℃
功率：390W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2060pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP24N65X2M
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2060pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH24N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4200pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@12A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：1090，"16+"：200，"19+"：621，"22+"：267}
包装规格(MPQ)：240psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ65R095C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：128W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2140pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@11.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW28N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW33N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1870pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH24N60X
工作温度：-55℃~150℃
功率：400W
阈值电压：4.5V@2.5mA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1910pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：420，"23+"：2787}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH150N65F-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：298W
阈值电压：5V@2.4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3737pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA24N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：270W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4310pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@12A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：20psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMIX1F40N110P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500W
阈值电压：6.5V@1mA
栅极电荷：310nC@10V
包装方式：管件
输入电容：19000pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@20A，10V
漏源电压：1100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：240psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ65R095C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：128W
阈值电压：4V@590µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2140pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@11.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW30N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1530pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@12A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF125N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：4V@2.1mA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2200pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP33N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1870pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL125N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4V@2.1mA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2200pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFT24N90P
工作温度：-55℃~150℃
功率：660W
阈值电压：6.5V@1mA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7200pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：420mΩ@12A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW30N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1530pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@12A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB24N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2740pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R095C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：128W
阈值电压：4V@590µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2140pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@11.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
